2020/8/7
超低GateCharge
100%EAS保证
可用的绿色设备
出色的CdV /dt效果下降
先进的高细胞密度沟槽技术
简介
ASM6115是高单元密度沟槽式P-ch MOSFET,可提供出色的RDSON和门极电荷用于大多数同步降压转换器应用。D6115符合RoHS和绿色产品要求,全额保证100%EAS功能可靠性得到认可。
IGBT-ASM40N12T1
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