ARM Cortex®-M0内核，110nm工艺制造

64KB Flash ROM, 8KB SRAM

内置电机控制专用DSP

内置4MHz高精度RC时钟，-40~105℃范围内精度在±1%之内

内置低速32KHz 低速时钟，供低功耗模式使用

最高13*12位 带同步双采样、3MSPS高速 ADC

内置4对互补或8路独立16位PWM，独立死区控制

内置4路高速运放和两路比较器，可满足单电阻/双电阻/三电阻电流采样拓扑架构的不同需求

内置三路霍尔信号专用接口，支持测速、去抖功能

内置高精度电压基准源

内置12bit数模转换器（DAC）

内置±2℃温度传感器

两路标准通讯UART、1路SPI、1路I2C、1路CAN 2.0

工作电压2.2V~5.5V，工作温度-40~105°C（最高到125℃）

EFT＞4KV，ESD＞8KV（HBM）；

封装形式：QFN32/ LQFP48/LQFP64